RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
46
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
46
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.7
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2660
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link