RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2140
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link