RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3691
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link