RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
83
Wokół strony 72% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
83
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
1774
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link