RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2281
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link