RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3754
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6N1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link