RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3754
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link