RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2323
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link