RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3827
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link