RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3706
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link