RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2353
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link