RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1433
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link