RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.0
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1433
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link