RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
75
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,036.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
1724
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link