RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2740
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link