RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2962
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link