RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
79
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1330
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link