RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
36
49
Prędkość odczytu, GB/s
9.1
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
12800
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2090
2230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link