RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 49

Rund um 27% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.3 9.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.2 7.9

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2090 2230

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns