Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB

Pontuação geral
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Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 49
    Por volta de 27% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33% maior largura de banda
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    10.3 left arrow 9.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    36 left arrow 49
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.1 left arrow 10.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 8.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2090 left arrow 2230
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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