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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB vs Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de 27% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR3
Latência em PassMark, ns
36
49
Velocidade de leitura, GB/s
9.1
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
8.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2090
2230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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