RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3188
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link