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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
16.1
18.0
写入速度,GB/s
10.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3188
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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