RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4064
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link