RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3091
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link