RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
4024
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link