RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3465
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link