RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3901
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link