RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3773
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link