RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
25
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3162
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Mushkin 991586 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link