RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3890
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link