RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3890
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link