RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3899
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link