RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2545
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link