RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2443
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link