RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
101
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
101
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1382
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link