RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2727
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link