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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
15.9
写入速度,GB/s
10.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2727
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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