RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2800
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link