RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2800
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link