RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link