RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link