RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2871
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link