RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
32
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2871
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link