RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2488
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link