RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2349
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link