RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2633
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link