RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2633
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link