RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
61
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2134
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link