RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2969
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link