RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3033
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA4-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link