RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
66
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1934
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link