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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
66
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
66
读取速度,GB/s
16.1
16.5
写入速度,GB/s
10.1
9.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1934
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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