RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
63
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2061
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link